买卖IC网 >> 产品目录 >> IXXH30N65B4 IGBT 晶体管 650V/65A Trench IGBT GenX4 XPT datasheet RF/IF 和 RFID
型号：

IXXH30N65B4

库存数量：可订货
制造商：Ixys
描述：IGBT 晶体管 650V/65A Trench IGBT GenX4 XPT
RoHS：否
详细参数
参数
数值
产品分类 RF/IF 和 RFID >> IGBT 晶体管
描述 IGBT 晶体管 650V/65A Trench IGBT GenX4 XPT
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制造商 Ixys
配置 Single
集电极—发射极最大电压 VCEO 650 V
集电极—射极饱和电压 1.66 V
栅极/发射极最大电压 20 V
在25 C的连续集电极电流 65 A
栅极—射极漏泄电流 100 nA
功率耗散 230 W
最大工作温度 + 175 C
封装 / 箱体 TO-247AD-3
封装 Tube
相关资料
属性
链接
代理商 IXXH30N65B4
IXXH40N65B4
IXXH50N60B3
IXXH50N60B3D1
IXXH50N60C3
IXXH50N60C3D1
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公司名
电话
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深圳市毅创辉电子科技有限公司 19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697 雷春艳
深圳市创芯弘科技有限公司 13410000176 (2014年前十佳IC供应商)
上海鑫科润电子科技有限公司 18521007236 鑫科润
深圳市德力诚信科技有限公司 13305449939 王小姐
彭银平 彭银平
无锡固电半导体股份有限公司 15961889159 张小姐
深圳市德力诚信科技有限公司 13305449939 王小姐
北京京华特科技有限公司 010-86398446-806 张小姐/韩先生
奥拉斯电气（济宁）有限公司 17753710178 冯
  • IXXH30N65B4 参考价格
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